Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Костильов В$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 11
Представлено документи з 1 до 11
|
1. |
Литовченко В. Г. Мобільні сонячні електростанції для використання в польових умовах [Електронний ресурс] / В. Г. Литовченко, В. П. Мельник, Б. М. Романюк, Б. Ф. Дверніков, Р. М. Коркішко, В. П. Костильов, С. М. Мусаєв, В. Г. Попов, В. В. Черненко // Вісник Національної академії наук України. - 2015. - № 11. - С. 59-66. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vnanu_2015_11_9 В Інституті фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України розроблено мобільну сонячну електростанцію на основі кремнієвих фотоперетворювачів сонячної енергії, яка вирізняється наявністю вбудованих акумуляторів з відповідною електронною схемою контролю, а також компактністю і високою механічною міцністю, що дозволяє використовувати її за екстремальних (польових) умов. Акумуляторна батарея дозволяє заряджати мобільні електронні пристрої в будь-який час, незалежно від умов освітленості.
| 2. |
Горбулик В. І. Покращення характеристик кремнієвих сонячних елементів нанесенням захисних та просвітлюючих а-C:H:N плівок [Електронний ресурс] / В. І. Горбулик, М. І. Клюй, В. Г. Литовченко, В. П. Костильов, А. Б. Романюк // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 1999. - Вип. 66. - С. 14-17. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_1999_66_5
| 3. |
Клюй М. І. Вплив активних обробок на фотоелектричні характеристики структур на основі плівок CdTe [Електронний ресурс] / М. І. Клюй, В. П. Костильов, А. М. Лук’янов, А. В. Макаров, В. В. Черненко, Г. С. Хрипунов, Н. М. Харченко, А. В. Меріуц, Т. М. Шелест, Т. А. Лі, А. М. Клюй // Український фізичний журнал. - 2012. - Т. 57, № 5. - С. 538-545. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2012_57_5_10 Досліджено фотоелектричні характеристики структур ITO/CdTe, виготовлених за допомогою методу термічного вакуумного випаровування та шляхом осадження у квазізамкненому об'ємі до та після різних обробок. Частина зразків проходила "хлоридну" обробку, інша - відпал на повітрі. Після цього проведено обробку зразків у плазмі водню та нанесення на них тонкої алмазоподібної плівки (АПП). Показано, що проведення "хлоридної" обробки структур ITO/CdTe призводить до збільшення дифузійної довжини носіїв заряду у шарі CdTe. Проведення термовідпалу не впливає на значення дифузійної довжини носіїв заряду у шарі CdTe, але значно підвищує фоточутливість, що свідчить про зменшення на поверхні шару CdTe швидкості поверхневої рекомбінації. Шляхом комбінації термовідпалу, "хлоридної" обробки, плазмової обробки у водні та нанесення тонких АПП одержано збільшення довжини дифузії носіїв заряду у шарі CdTe в усіх досліджуваних структурах ITO/CdTe. На структурах ITO/CdTe, одержаних термічним вакуумним випаровуванням, обробка у плазмі водню призводила до значного збільшення спектральної чутливості в діапазоні довжин хвиль 400 - 800 нм, а на структурах, які пройшли "хлоридну" обробку, значне збільшення спектральної чутливості досягалось після обробки у плазмі водню і нанесення АПП.
| 4. |
Саченко А. В. Рекомбінаційні характеристики пластин монокристалічного кремнію з приповерхневим порушеним шаром [Електронний ресурс] / А. В. Саченко, В. П. Костильов, В. Г. Литовченко, В. Г. Попов, Б. М. Романюк, В. В. Черненко, В. М. Насєка, Т. В. Слусар, С. І. Кирилова, Ф. Ф. Комаров // Український фізичний журнал. - 2013. - Т. 58, № 2. - С. 142-150. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2013_58_2_8 Експериментально та теоретично досліджено спектральні залежності малосигнальної конденсаторної фотоерс Vf(lambda) з ділянкою короткохвильового спаду. Показано, що в короткохвильовій області спектра залежності Vf(lambda) дозволяють одержати з використанням експериментально неруйнівного методу важливу інформацію про зміну рекомбінаційних властивостей поверхні та об'єму фоточутливого кремнієвого матеріалу. Встановлено, зокрема, що створення порушеного приповерхневого шару за рахунок імплантації заліза призводить як до сильного зменшення об'ємної довжини дифузії (тобто часу життя) в імплантованому шарі, так і до зростання ефективної швидкості поверхневої рекомбінації на освітлюваній поверхні.
| 5. |
Костильов В. П. Вплив системи поверхневих центрів на ефективну швидкість поверхневої рекомбінації та на параметри кремнієвих сонячних елементів [Електронний ресурс] / В. П. Костильов, А. В. Саченко, І. О. Соколовський, В. В. Черненко, Т. В. Слусар, А. В. Суший // Український фізичний журнал. - 2013. - Т. 58, № 4. - С. 363-371. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2013_58_4_10
| 6. |
Саченко А. В. Особливості формування рекомбінаційного струму в області просторового заряду кремнієвих сонячних елементів [Електронний ресурс] / А. В. Саченко, В. П. Костильов, В. М. Власюк, Р. М. Коркішко, І. О. Соколовський, В. В. Черненко // Український фізичний журнал. - 2016. - Т. 61, № 10. - С. 923-928. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2016_61_10_11 Досліджено темнові ВАХ кремнієвих сонячних елементів з різним часом життя Шоклі - Ріда - Холла, визначені зі спектральних залежностей внутрішнього квантового виходу струму короткого замикання. Встановлено, що рекомбінаційні струми в області просторового заряду (ОПЗ) формуються на основі часу життя, меншого, принаймні на порядок, за об'ємний час життя. Це пояснено великою концентрацією дефектів, які призводять до появи глибоких рівнів, в ОПЗ досліджуваних структур кремнію. Оцінено параметри глибоких рівнів, відповідальних за рекомбінацію в ОПЗ.
| 7. |
Гетьман А. В. Характеристики кремнієвих фотоперетворювачів космічного призначення [Електронний ресурс] / А. В. Гетьман, Р. М. Коркішко, В. П. Костильов // Радиотехника. - 2015. - Вып. 183. - С. 116-121. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/rvmnts_2015_183_19
| 8. |
Костильов В. П. Напівпровідникова фотоенергетика: сучасний стан і актуальні напрями досліджень [Електронний ресурс] / В. П. Костильов, А. В. Саченко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2018. - Вып. 53. - С. 13-37. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2018_53_4
| 9. |
Коломзаров Ю. В. Екологічні проблеми освітлення та перспективи застосування енергоощадних світлодіодних освітлювальних систем з комбінованим електроживленням [Електронний ресурс] / Ю. В. Коломзаров, В. П. Костильов, В. М. Сорокін, Ю. Є. Ніколаєнко, І. В. Пекур, В. І. Корнага, Р. М. Коркішко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2020. - № 5-6. - С. 3-9. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2020_5-6_3
| 10. |
Пекур Д. В. Суперконденсаторні енергонакопичувачі для освітлювальних систем з комбінованим електроживленням [Електронний ресурс] / Д. В. Пекур, Ю. В. Коломзаров, В. П. Костильов, В. М. Сорокін, В. І. Корнага, Р. М. Коркішко, Ю. Є. Ніколаєнко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2021. - № 1-2. - С. 3-9. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2021_1-2_3
| 11. |
Костильов В. П. Зменшення рекомбінаційних втрат у дифузійних приповерхневих емітерних шарах фоточутливих кремнієвих структур n+-p-p+ [Електронний ресурс] / В. П. Костильов, А. В. Саченко, Т. В. Слусар, В. В. Черненко // Український фізичний журнал. - 2023. - Т. 68, № 9. - С. 630-639. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2023_68_9_9
|
|
|